Hersteller Produktnummer:
BFP193WE6327HTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BFP193WE6327HTSA1-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT343-3D
Inventar:
12798676
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BFP193WE6327HTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
8GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen
13.5dB ~ 20.5dB
Leistung - Max
580mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 30mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-82A, SOT-343
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT343-3D
Basis-Produktnummer
BFP193
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BFP193WE6327XT
BFP 193W E6327
BFP193WE6327INCT-DG
BFP193WE6327INDKR-DG
BFP193WE6327INTR
BFP 193W E6327-DG
BFP193WE6327HTSA1DKR
BFP193WE6327HTSA1TR
BFP193WE6327HTSA1CT
BFP193WE6327
SP000011026
BFP193WE6327INTR-DG
BFP193WE6327INDKR
BFP193WE6327INCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
BFS17NTA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
50831
TEILNUMMER
BFS17NTA-DG
Einheitspreis
0.11
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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