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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
BFP193E6327HTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BFP193E6327HTSA1-DG
Beschreibung:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT-143-3D
Inventar:
11372 Stück Neu Original Auf Lager
12799049
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EINREICHEN
BFP193E6327HTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
8GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen
12dB ~ 18dB
Leistung - Max
580mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 30mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80mA
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-253-4, TO-253AA
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT-143-3D
Basis-Produktnummer
BFP193
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
BFP193E6327HTSA1
HTML-Datenblatt
BFP193E6327HTSA1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BFP193E6327BTSA1
BFP 193 E6327
BFP193E6327HTSA1CT
BFP193E6327INDKR-DG
BFP193E6327INTR
BFP193E6327HTSA1TR
BFP 193 E6327-DG
BFP193E6327HTSA1DKR
BFP193E6327INDKR
BFP193E6327INCT-DG
SP000011024
BFP193E6327XT
BFP193E6327INTR-DG
BFP193E6327
BFP193E6327INCT
2156-BFP193E6327HTSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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