Hersteller Produktnummer:
BCR503E6393HTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BCR503E6393HTSA1-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Inventar:
12837360
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Menge
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EINREICHEN
BCR503E6393HTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
100 MHz
Leistung - Max
330 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT23
Basis-Produktnummer
BCR503
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SP000010840
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
DTD123EKT146
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
5018
TEILNUMMER
DTD123EKT146-DG
Einheitspreis
0.09
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
PDTD123ET,215
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
71
TEILNUMMER
PDTD123ET,215-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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