Hersteller Produktnummer:
AUIRFZ34N
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
AUIRFZ34N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12831610
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Menge
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AUIRFZ34N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001521138
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
HUF75321P3
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
13417
TEILNUMMER
HUF75321P3-DG
Einheitspreis
0.60
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRFZ34NPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5019
TEILNUMMER
IRFZ34NPBF-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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