Hersteller Produktnummer:
AUIRF6215
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
AUIRF6215-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 150 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12801645
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
AUIRF6215 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
AUIRF6215
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001521586
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP15P15T
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTP15P15T-DG
Einheitspreis
2.48
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSC048N025S G
MOSFET N-CH 25V 19A/89A TDSON
IPP65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3
IPI075N15N3GHKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
