Hersteller Produktnummer:
RFL1N12
Product Overview
Hersteller:
Harris Corporation
Teilenummer:
RFL1N12-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V 1A (Tc) 8.33W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Inventar:
845 Stück Neu Original Auf Lager
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RFL1N12 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
8.33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-205AF (TO-39)
Paket / Koffer
TO-205AF Metal Can
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
342
Andere Namen
2156-RFL1N12
HARHARRFL1N12
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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