Hersteller Produktnummer:
RF1S50N06
Product Overview
Hersteller:
Harris Corporation
Teilenummer:
RF1S50N06-DG
Beschreibung:
50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Inventar:
2746 Stück Neu Original Auf Lager
12955141
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
RF1S50N06 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2020 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
131W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK (TO-262)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
290
Andere Namen
2156-RF1S50N06
HARHARRF1S50N06
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPP070N08N3GXKSA1
N-CHANNEL POWER MOSFET
AO3459
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
2SK973L-E
GENERAL SWITCHING POWER MOSFET
