IRFD112
Hersteller Produktnummer:

IRFD112

Product Overview

Hersteller:

Harris Corporation

Teilenummer:

IRFD112-DG

Beschreibung:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip

Inventar:

1371 Stück Neu Original Auf Lager
12933649
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IRFD112 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 800mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
135 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
4-DIP, Hexdip
Paket / Koffer
4-DIP (0.300", 7.62mm)

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRFD113

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
807
Andere Namen
2156-IRFD112
HARHARIRFD112

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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