Hersteller Produktnummer:
GSFU9006
Product Overview
Hersteller:
Good-Ark Semiconductor
Teilenummer:
GSFU9006-DG
Beschreibung:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 900V,7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 6A (Tj) 32W (Tj) Through Hole TO-220F
Inventar:
980 Stück Neu Original Auf Lager
13229429
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
GSFU9006 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Good Ark Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Verpackung
Tube
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1250 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
32W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
4786-GSFU9006
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
GSFH9506
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
SSFP4960
MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 4
C2M0160120D
SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
