Hersteller Produktnummer:
GT100N04D3
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
GT100N04D3-DG
Beschreibung:
N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 13A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Inventar:
4709 Stück Neu Original Auf Lager
13002658
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GT100N04D3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SGT
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
642 pF @ 20 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
23W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (3.15x3.05)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
4822-GT100N04D3TR
3141-GT100N04D3CT
3141-GT100N04D3DKR
3141-GT100N04D3TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI-Zertifizierung
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