Hersteller Produktnummer:
G7K2N20LLE
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G7K2N20LLE-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-23-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 2A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L
Inventar:
13004436
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
G7K2N20LLE Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
1.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-6L
Paket / Koffer
SOT-23-6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
4822-G7K2N20LLETR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SSF02N15
MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.4A, 150V
IPQC60R010S7AXTMA1
MOSFET
SSF2319CJ1
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.45A, -2
