Hersteller Produktnummer:
G65P06D5
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G65P06D5-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 65A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventar:
50000 Stück Neu Original Auf Lager
12975144
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G65P06D5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (4.9x5.75)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
4822-G65P06D5TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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