G50N03D5
Hersteller Produktnummer:

G50N03D5

Product Overview

Hersteller:

Goford Semiconductor

Teilenummer:

G50N03D5-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 50A DFN5*6-8L
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 50A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)

Inventar:

10000 Stück Neu Original Auf Lager
13000492
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

G50N03D5 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
20W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (4.9x5.75)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
4822-G50N03D5TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
goford-semiconductor

G05P06L

P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1

diodes

DMNH6069SFVWQ-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMTH4014LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMN2310UT-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R