G350P02LLE
Hersteller Produktnummer:

G350P02LLE

Product Overview

Hersteller:

Goford Semiconductor

Teilenummer:

G350P02LLE-DG

Beschreibung:

P-20V,-8.2A,RD(MAX)<[email protected],V
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 4.5A (Tc) 1.4W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L

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G350P02LLE Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1126 pF @ 10 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
1.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-6L
Paket / Koffer
SOT-23-6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3141-G350P02LLETR
3141-G350P02LLEDKR
3141-G350P02LLECT
4822-G350P02LLETR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI-Zertifizierung
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