Hersteller Produktnummer:
G33N03D52
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G33N03D52-DG
Beschreibung:
N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount DFN5*6
Inventar:
4980 Stück Neu Original Auf Lager
12989592
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G33N03D52 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
782 pF @ 15 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
29W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DFN5*6
Paket / Koffer
DFN5*6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
3141-G33N03D52TR
3141-G33N03D52DKR
4822-G33N03D52TR
3141-G33N03D52CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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