Hersteller Produktnummer:
G26P04K
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G26P04K-DG
Beschreibung:
P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 40 V 26A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
4154 Stück Neu Original Auf Lager
13001084
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
G26P04K Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
3141-G26P04KTR
4822-G26P04KTR
3141-G26P04KDKR
3141-G26P04KCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RS6L120BGTB1
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
G11S
P-20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX
PMPB07R0UNAX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
