Hersteller Produktnummer:
G2003A
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G2003A-DG
Beschreibung:
N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 190 V 3A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
3043 Stück Neu Original Auf Lager
13002051
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G2003A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
190 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
580 pF @ 25 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
1.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
4822-G2003ATR
3141-G2003ACT
3141-G2003ATR
3141-G2003ADKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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