Hersteller Produktnummer:
G170P03D3
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G170P03D3-DG
Beschreibung:
P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Inventar:
5000 Stück Neu Original Auf Lager
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G170P03D3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
15W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (3.15x3.05)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
3141-G170P03D3TR
4822-G170P03D3TR
3141-G170P03D3DKR
3141-G170P03D3CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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