Hersteller Produktnummer:
G11S
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G11S-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 11A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
90000 Stück Neu Original Auf Lager
13001224
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G11S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18.4mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Vgs (Max)
±12V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
3.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
4822-G11STR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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