Hersteller Produktnummer:
G06P01E
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G06P01E-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH ESD 12V 4A SOT-23
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 4A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
12978379
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Menge
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G06P01E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±10V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
1.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
4822-G06P01ETR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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