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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
G05NP06S2
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G05NP06S2-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 60V 5A/3.1A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 5A (Tc), 3.1A (Tc) 2.5W (Tc), 1.9W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
7490 Stück Neu Original Auf Lager
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G05NP06S2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Standard
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc), 3.1A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 4.3A, 10V, 80mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V, 37nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1336pF @ 30V, 1454pF @ 30V
Leistung - Max
2.5W (Tc), 1.9W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Basis-Produktnummer
G05N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
G05NP06S2
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
3141-G05NP06S2TR
3141-G05NP06S2DKR
3141-G05NP06S2CT
4822-G05NP06S2TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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