G05NP06S2
Hersteller Produktnummer:

G05NP06S2

Product Overview

Hersteller:

Goford Semiconductor

Teilenummer:

G05NP06S2-DG

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 60V 5A/3.1A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 5A (Tc), 3.1A (Tc) 2.5W (Tc), 1.9W (Tc) Surface Mount 8-SOP

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G05NP06S2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Standard
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc), 3.1A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 4.3A, 10V, 80mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V, 37nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1336pF @ 30V, 1454pF @ 30V
Leistung - Max
2.5W (Tc), 1.9W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Basis-Produktnummer
G05N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
3141-G05NP06S2TR
3141-G05NP06S2DKR
3141-G05NP06S2CT
4822-G05NP06S2TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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