Hersteller Produktnummer:
G05N06S2
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G05N06S2-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 5A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Inventar:
3825 Stück Neu Original Auf Lager
12988012
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G05N06S2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel
FET-Funktion
Standard
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1374pF @ 30V
Leistung - Max
3.1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOP
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
G05N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
3141-G05N06S2CT
4822-G05N06S2TR
3141-G05N06S2TR
3141-G05N06S2DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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