G01N20LE
Hersteller Produktnummer:

G01N20LE

Product Overview

Hersteller:

Goford Semiconductor

Teilenummer:

G01N20LE-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1.7A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

51000 Stück Neu Original Auf Lager
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G01N20LE Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
1.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
G01N20LE

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
4822-G01N20LETR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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