Hersteller Produktnummer:
GP2T080A120U
Product Overview
Hersteller:
SemiQ
Teilenummer:
GP2T080A120U-DG
Beschreibung:
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
1416 Stück Neu Original Auf Lager
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GP2T080A120U Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
SemiQ
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1377 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
188W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
GP2T080A
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
1560-GP2T080A120U
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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