Hersteller Produktnummer:
G3R450MT17J
Product Overview
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Teilenummer:
G3R450MT17J-DG
Beschreibung:
SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1700 V 9A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventar:
6534 Stück Neu Original Auf Lager
12945349
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
G3R450MT17J Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
G3R™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
585mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
2.7V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
454 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
91W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-7
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
G3R450
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1242-G3R450MT17J
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
G3R30MT12J
SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4