Hersteller Produktnummer:
G2R50MT33K
Product Overview
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Teilenummer:
G2R50MT33K-DG
Beschreibung:
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventar:
131 Stück Neu Original Auf Lager
12965214
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G2R50MT33K Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
G2R™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
3300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 10mA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7301 pF @ 1000 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
536W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
1242-G2R50MT33K
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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