Hersteller Produktnummer:
G2R120MT33J
Product Overview
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Teilenummer:
G2R120MT33J-DG
Beschreibung:
SIC MOSFET N-CH TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 3300 V 35A Surface Mount TO-263-7
Inventar:
701 Stück Neu Original Auf Lager
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G2R120MT33J Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
G2R™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
3300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3706 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-7
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
G2R120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1242-G2R120MT33J
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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