Hersteller Produktnummer:
2N5598
Product Overview
Hersteller:
General Semiconductor
Teilenummer:
2N5598-DG
Beschreibung:
LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 2 A 20 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Inventar:
18 Stück Neu Original Auf Lager
12947073
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2N5598 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
General Semiconductor (Vishay)
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
850mV @ 200µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
20 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket für Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8
Andere Namen
2156-2N5598
GSIGSI2N5598
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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