Hersteller Produktnummer:
GPIHV7DK
Product Overview
Hersteller:
GaNPower
Teilenummer:
GPIHV7DK-DG
Beschreibung:
GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 7A Surface Mount
Inventar:
467 Stück Neu Original Auf Lager
12976582
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GPIHV7DK Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
GaNPower
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V
vgs(th) (max.) @ id
1.7V @ 3.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.1 nC @ 6 V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
90 pF @ 700 V
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
4025-GPIHV7DKTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
3A001
HTSUS
8541.49.7000
DIGI-Zertifizierung
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