Hersteller Produktnummer:
GPI65060DFC
Product Overview
Hersteller:
GaNPower
Teilenummer:
GPI65060DFC-DG
Beschreibung:
GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 60A Surface Mount 8-DFN (8x8)
Inventar:
97 Stück Neu Original Auf Lager
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GPI65060DFC Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
GaNPower
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 6A, 12V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 3.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 6 V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
420 pF @ 400 V
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (8x8)
Paket / Koffer
8-DFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
4025-GPI65060DFCTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (Englisch)
3A001
HTSUS
8541.49.7500
DIGI-Zertifizierung
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