Hersteller Produktnummer:
GPI65005DF
Product Overview
Hersteller:
GaNPower
Teilenummer:
GPI65005DF-DG
Beschreibung:
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 5A Surface Mount Die
Inventar:
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GPI65005DF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
GaNPower
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 1.75mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.6 nC @ 6 V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
45 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Die
Paket / Koffer
Die
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
4025-GPI65005DFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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