Hersteller Produktnummer:
MB85RS512TPNF-G-AWE2
Product Overview
Hersteller:
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Teilenummer:
MB85RS512TPNF-G-AWE2-DG
Beschreibung:
IC FRAM 512KBIT SPI 30MHZ 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 512Kbit SPI 30 MHz 9 ns 8-SOP
Inventar:
12438645
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EINREICHEN
MB85RS512TPNF-G-AWE2 Technische Spezifikationen
Kategorie
Speicher, Speicher
Hersteller
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
DiGi-Electronics Programmierbar
Not Verified
Speichertyp
Non-Volatile
Speicherformat
FRAM
Technologie
FRAM (Ferroelectric RAM)
Größe des Speichers
512Kbit
Organisation des Speichers
64K x 8
Speicher-Schnittstelle
SPI
Taktfrequenz
30 MHz
Zykluszeit schreiben - Word, Seite
400µs
Zugriffszeit
9 ns
Spannung - Versorgung
1.8V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Basis-Produktnummer
MB85RS512
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
85
Andere Namen
865-MB85RS512TPNF-G-AWE2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.32.0071
DIGI-Zertifizierung
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