MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1
Hersteller Produktnummer:

MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1

Product Overview

Hersteller:

Fujitsu Semiconductor Memory Solution

Teilenummer:

MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1-DG

Beschreibung:

IC FRAM 4MBIT SPI 50MHZ 8DFN
Detaillierte Beschreibung:
FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mbit SPI 50 MHz 8-DFN (5x6)

Inventar:

12361544
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MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 Technische Spezifikationen

Kategorie
Speicher, Speicher
Hersteller
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
DiGi-Electronics Programmierbar
Not Verified
Speichertyp
Non-Volatile
Speicherformat
FRAM
Technologie
FRAM (Ferroelectric RAM)
Größe des Speichers
4Mbit
Organisation des Speichers
512K x 8
Speicher-Schnittstelle
SPI
Taktfrequenz
50 MHz
Zykluszeit schreiben - Word, Seite
-
Spannung - Versorgung
1.8V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 125°C (TA)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-VDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (5x6)
Basis-Produktnummer
MB85RS4

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,500
Andere Namen
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1CT-DG
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1DKR
865-MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1DKR
MB85RS4MTYPN-G-AWERE1
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1TR
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1CT
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1DKR-DG
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1TR-DG
865-MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1CT
865-MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.32.0071
DIGI-Zertifizierung
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