Hersteller Produktnummer:
MB85R8M2TAFN-G-JAE2
Product Overview
Hersteller:
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Teilenummer:
MB85R8M2TAFN-G-JAE2-DG
Beschreibung:
IC FRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP
Detaillierte Beschreibung:
FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 8Mbit Parallel 120 ns 44-TSOP
Inventar:
12451315
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MB85R8M2TAFN-G-JAE2 Technische Spezifikationen
Kategorie
Speicher, Speicher
Hersteller
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Verpackung
Tray
Reihe
-
Produktstatus
Active
DiGi-Electronics Programmierbar
Not Verified
Speichertyp
Non-Volatile
Speicherformat
FRAM
Technologie
FRAM (Ferroelectric RAM)
Größe des Speichers
8Mbit
Organisation des Speichers
1M x 8
Speicher-Schnittstelle
Parallel
Zykluszeit schreiben - Word, Seite
120ns
Zugriffszeit
120 ns
Spannung - Versorgung
1.8V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
44-TSOP
Basis-Produktnummer
MB85R8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
126
Andere Namen
865-MB85R8M2TAFN-G-JAE2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.32.0071
DIGI-Zertifizierung
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