SSI4N60BTU
Hersteller Produktnummer:

SSI4N60BTU

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

SSI4N60BTU-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

50126 Stück Neu Original Auf Lager
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SSI4N60BTU Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
920 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
634
Andere Namen
2156-SSI4N60BTU
FAIFSCSSI4N60BTU

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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