Hersteller Produktnummer:
NDH8502P
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
NDH8502P-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 30V 2.2A SUPERSOT8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 2.2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Inventar:
53427 Stück Neu Original Auf Lager
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NDH8502P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
340pF @ 15V
Leistung - Max
800mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-8
Basis-Produktnummer
NDH8502
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
468
Andere Namen
FAIFSCNDH8502P
2156-NDH8502P
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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