MJ11033G
Hersteller Produktnummer:

MJ11033G

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

MJ11033G-DG

Beschreibung:

HIGH-CURRENT PNP SILICON POWER T
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Inventar:

50 Stück Neu Original Auf Lager
12946697
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

MJ11033G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3.5V @ 500mA, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 25A, 5V
Leistung - Max
300 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-204AE
Gerätepaket für Lieferanten
TO-204 (TO-3)

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
MJ11028G Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
36
Andere Namen
ONSFSCMJ11033G
2156-MJ11033G

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
stmicroelectronics

BU941ZP

TRANS NPN DARL 350V 15A TO247-3

fairchild-semiconductor

FJL4315OTU

TRANS NPN 250V 17A HPM F2

fairchild-semiconductor

KSC2334Y

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 7A, 10

fairchild-semiconductor

FJPF13009H1TU

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 12A, 4