Hersteller Produktnummer:
KSD2012GTU
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
KSD2012GTU-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F-3
Inventar:
65590 Stück Neu Original Auf Lager
12967635
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KSD2012GTU Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 5V
Leistung - Max
25 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
712
Andere Namen
2156-KSD2012GTU-600039
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
REACH Affected
DIGI-Zertifizierung
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