Hersteller Produktnummer:
IRFW840BTM
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
IRFW840BTM-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.13W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
2466 Stück Neu Original Auf Lager
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IRFW840BTM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 134W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
634
Andere Namen
2156-IRFW840BTM
FAIFSCIRFW840BTM
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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