Hersteller Produktnummer:
HUF76409D3
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
HUF76409D3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 49W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
3600 Stück Neu Original Auf Lager
12933254
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HUF76409D3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
485 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
49W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
592
Andere Namen
2156-HUF76409D3
FAIFSCHUF76409D3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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