HUF76113DK8T
Hersteller Produktnummer:

HUF76113DK8T

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

HUF76113DK8T-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 6A US8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount US8

Inventar:

77500 Stück Neu Original Auf Lager
12933280
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

HUF76113DK8T Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
UltraFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
605pF @ 25V
Leistung - Max
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
US8
Basis-Produktnummer
HUF76113

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
592
Andere Namen
2156-HUF76113DK8T
FAIFSCHUF76113DK8T

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
alpha-and-omega-semiconductor

AO4627

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

renesas-electronics-america

UPA2350T1G(2)-E4-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

ECH8602R-TL-H

NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

onsemi

ECH8901-TL-H

MOSFET N/P-CH 1.8V