HUF76009P3
Hersteller Produktnummer:

HUF76009P3

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

HUF76009P3-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 20A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

7513 Stück Neu Original Auf Lager
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HUF76009P3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
UltraFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
470 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
523
Andere Namen
2156-HUF76009P3
FAIFSCHUF76009P3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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