HUF75829D3
Hersteller Produktnummer:

HUF75829D3

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

HUF75829D3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 18A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK

Inventar:

4067 Stück Neu Original Auf Lager
12900511
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HUF75829D3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Tube
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
567
Andere Namen
2156-HUF75829D3-FS
FAIFSCHUF75829D3

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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