Hersteller Produktnummer:
HUF75639S3ST
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
HUF75639S3ST-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
8245 Stück Neu Original Auf Lager
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HUF75639S3ST Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
235
Andere Namen
FAIFSCHUF75639S3ST
2156-HUF75639S3ST
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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