HUF75631S3ST
Hersteller Produktnummer:

HUF75631S3ST

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

HUF75631S3ST-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

321 Stück Neu Original Auf Lager
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HUF75631S3ST Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1220 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HUF75631S3ST Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
132
Andere Namen
FAIFSCHUF75631S3ST
2156-HUF75631S3ST

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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