Hersteller Produktnummer:
FQU8P10TU
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQU8P10TU-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
65220 Stück Neu Original Auf Lager
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FQU8P10TU Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
745
Andere Namen
ONSFSCFQU8P10TU
2156-FQU8P10TU
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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