Hersteller Produktnummer:
FQP2N80
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQP2N80-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
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12946701
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FQP2N80 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
415
Andere Namen
2156-FQP2N80
FAIFSCFQP2N80
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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