Hersteller Produktnummer:
FQP12N60C
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQP12N60C-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
4340 Stück Neu Original Auf Lager
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FQP12N60C Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2290 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
225W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
166
Andere Namen
FAIFSCFQP12N60C
2156-FQP12N60C
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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