Hersteller Produktnummer:
FQI4N90TU
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQI4N90TU-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Inventar:
1502 Stück Neu Original Auf Lager
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FQI4N90TU Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I2PAK (TO-262)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
FQI4N90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
254
Andere Namen
2156-FQI4N90TU
ONSFSCFQI4N90TU
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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