FQI27N25TU
Hersteller Produktnummer:

FQI27N25TU

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FQI27N25TU-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

600 Stück Neu Original Auf Lager
12946754
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FQI27N25TU Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
25.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2450 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FQI27N25TU Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
189
Andere Namen
2156-FQI27N25TU
ONSONSFQI27N25TU

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
stmicroelectronics

STD3NK80ZT4

MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK

fairchild-semiconductor

FDMS8025S

MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN

international-rectifier

AUIRF4104S

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

FQI4N80TU

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK